小的,可能就是两纳米,甚至一纳米的微小进步。”
“更主要的工艺进步还是基于3d晶体管的设计以及多重曝光技术的提升,而这方面我们的工艺研发部门有比较大的信心。”
“我们的技术团队判断,在推进到等效七纳米工艺之前,我们不会遇到太大的关键性技术难题,倒是等效七纳米之后的工艺推进会非常麻烦,但这并不是工艺的问题,而是光刻机的问题。”
“我们的等效七纳米工艺的前期研发里,准备采用的技术就是使用现有的duv浸润式光刻机进多重曝光,只是这样做生产效率低,而且良率也低,成本会比较高。”
“技术部门认为,如果要实现比等效七纳米更低的工艺,最好还是使用光源波长更短的euv光刻机,继续使用duv浸润式光刻机的话,在成本上很难接受,商业化比较困难。”
“当然,现在没有euv光刻机,时间也太早,我们暂时不谈比七纳米更小的未来工艺,我们目前聚焦的还是十八纳米,十四纳米,十纳米以及未来七纳米这四个可以基于现有duv浸润式光刻机生产的工艺节点。”
“基于工艺技术的快速进步,我们也需要做好相应的先进生产线的提前准备工作,因此新项目的投资建设是必须的。”
“毕竟工艺的提升,和芯片工厂的技术提升是密不可分的,也是相辅相成的,不然光有工艺没有工厂也无济于事。”
对这个说法,徐申学在内的其他人也表示同意,这个亏他们在今年算是吃上了,决不能明年继续吃这种亏。
智云微电子十八纳米工艺的进度落后,除了工艺技术本身难度大有关系外,也和工厂那边的项目进度跟不上有关系。
智云微电子总部基地里,预定用于十八纳米工艺的深城基地十七号工厂,13年十月份才完成设备安装工作,然后后续的收尾调试又用了接近三个月。
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