年启动的二十一号厂项目,主要瞄准未来的十纳米工艺,作为十纳米工艺节点的研发阶段的测试工厂,预计时间节点为明年进行初步试产,测试,后年第二季度进行量产。”
“而今年下半年启动的二十二号厂,则是直接瞄准未来的七纳米工艺,争取在后年进行试产,大后年,也就是17年做到量产。”
“江城储存那边的十九号厂以及二十号厂,十九号厂主要生产先进内存工艺,二十号厂则是闪存工厂。”
今天的会议,主要还是讨论逻辑芯片领域(pu/pu等),所以这储存芯片(运行内存以及闪存)领域,丁成军就说的不多,简单提一嘴就掠过,把话题重新集中到逻辑芯片领域。
只听丁成军继续道:“基于工艺研发以及工厂的高度关联性,我们采取一边建设一边研发的模式,确保在我们的未来新一代工艺获得突破之后,工厂方面就能做好相应的生产准备。”
“而不是和现在这样,我们的工厂建设落后于我们的工艺研发速度!”
“毕竟现在的工艺推进速度是比较快的,工厂方面也要提前建设,不然来不及。”
“我们的研发团队判断,未来几年来,随着多重曝光技术以及3d晶体管技术等技术的逐渐成熟,将会高速推进工艺的发展。”
“我们的研发团队判断,尤其是梁松教授的意见是,最迟今年年底,我们就能够完善十四纳米工艺,进而开始各项测试,为量产进行准备,预计明年上半年就能够投入生产,整体的技术进步速度是比较快的。”
“后年则是有望进一步推动到十纳米工艺。”
“大后年则是推动到七纳米工艺!”
“因为上述一系列的工艺进步,都是基于现有的多重曝光技术以及3d晶体管技术的深度挖掘推进,受到光刻机物理极限的限制,晶体管上的栅极长度技术推进上,整体幅度是比较
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