第260章 国产光刻机重大成功

索65纳米制程，gk193bj步进式光刻机已经很无力了，良品率再次崩塌式下降，一块三英寸晶圆，几百块芯片，碰巧有一两块合格，良品率已经不足1%！

用130纳米制程制造的armv6处理器，速度直接飙升了1.5ghz，直接冲破了1ghz速度的大关。

甚至在45纳米制程上，步进式光刻机已经无用了，但gk193ty投影式光刻机仍然可以达到14%的良品率。

102所技术攻关团队继续向90纳米制程探索，gk193bj步进式光刻机成功完成90纳米制程的探索，不过良品率直接降到了32%。

而使用gk193ty投影式光刻机，完成90纳米制程的光刻，良品率可以上升两倍，达到67%。

事实证明finfet半导体结构，具备优良的物理性能，根本不需要改变就可以直接应用到130纳米。

45纳米制程已经是193纳米波长氟化氩激光光刻机的极限了，32纳米制程则遇到非常严重的光干涉物理现象。

当然在理论上，使用多重曝光技术，是可以完成32纳米制程的光刻，但理论上用32纳米制程，制造只有两千万晶体管的armv6处理器，需要的掩膜版多达一百多张，工序多达三百多道。

此时光刻的效率将严重降低，更别说三百多道工序，将使良品率降低到1‰以下，而造出一块32纳米制程的合格芯片，跟中大奖差不多，没有探索的意义了。

这些测试数据，小赵老师还是比较满意的，45纳米制程是极限。

而在商用上，130纳米制程还是可以保证效率和良品率的，但商用90纳米制程还需要探索。

屈庆麟总师眼光还是比较毒的，他对小赵老师说：

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