第260章 国产光刻机重大成功

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第260章国产光刻机重大成功

102所与沪市微电子研究所，加上全国三十七个科研单位、六十二个工厂，总共有两千余人参与研发制造，加上与asml交流的关键工台技术，历经六年时间，拆了六台光刻机，总投入高达数十亿美元，终于结出丰硕的成果。

1993年11月，193纳米氟化氩激光光刻机完成技术攻关。并通过国家论证。

型号有两款，代号分别为gk193bj型和gk193ty型。

gk193ty型为投影式光刻机，主要研发单位是沪市微电子研究所，工台关键技术是逆向asmlpa3000光刻机，光源使用的是102所提供的氟化氩激光光源，透镜系统也是102所所设计制造的。

gk193ty型投影式光刻机优点是精度高，投影准确，控制性好，但缺点是效率不高，完成一块晶圆的光刻过程，需要的时间是步进式光刻机的数十倍。

在商用上面，投影式光刻机属于淘汰的技术，不过在不计较成本的军用上，或者高性能大型计算机上面，尚有用武之地。

而gk193bj步进式光刻机，主要技术来自与asml、西门子以及飞利浦交流的技术，主要研发单位是102所。

与投影式光刻机相反的是，步进式光刻机最大的好处就是在牺牲一定的稳定，保证良品率的前提下，具备相当高的光刻效率，最适合商用化，可以显著降低芯片的成本……

新光刻机的测试早就开始了，试验的制程是130纳米，finfet半导体结构，直接光刻。

而gk193ty投影式光刻机尚能保持42%的良品率。

用多重曝光技术探

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