第209章 啥叫瞪谁谁死系统 木总懵了

话说是金属极+高介电常数绝缘层。

这是一个困扰所有半导体厂家的难题，比如现在的intel，已经了数亿美元来摸索，在芯片中，怎么把连接晶体管的铝导线，变成铜导线。

而他们到现在还没有解决。

但赵国庆凭着在伯克利大学研究室的经历知道解决这个问题最有效的办法。

那就是“金属栅极”，能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应的一系列问题，并且可以提供最佳的效能表现。

这是通向未来的钥匙，是踩着99%的半导体厂家尸体摸索出来的……

曝光过后的硅片经过蚀刻，形成凹凸的表面，接下来便是后栅极工艺处理，对硅片进行漏/源区离子注入操作。

接下来便是重点了，在第一时间将硅片加温至530摄氏度，保持五分钟，然后在十秒内进行退火处理。

看起来简单，做起来难，其中夹杂着栅极氧化层，后栅极制造，衬底处理，建伪栅，去伪栅，化学机械研磨cmp等27项步骤，这还不包括各个步骤之间的蚀刻，清洗等内容……

只要错了一步，便不能达到想要的效果。

可以想象，设计这套工艺制程的人得多牛逼。

而这套工艺是还在台积电打拼的梁锦松同志设计的14纳米制造工艺，这套工艺甚至可以用在7纳米芯片上。

而当时的赵国庆与梁锦松，虽然没有见过面，但他们也算是校友。

在加州大学伯克利分校的物理实验室，他和他的合作伙伴纪尧姆·拉科尔教授、以及finfet半导体结构的发明者胡正民教授，

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