第154章 模型改进

第154章 模型改进

不仅如此，高t值热电材料的出现更会改变芯片架构，光-电-热一体化芯片成为可能，热电材料将废热直接转化为电能，供芯片内部传感器或边缘ai单元使用，实现能量闭环。

自冷却芯片普及，淘汰传统散热器，设备体积缩小至现有1/5。

从长期来看，这将直接导致量子芯片的发展，它缓解了量子比特退相干问题，超导量子芯片可在更高温度下运行，降低制冷成本90%，类脑芯片功耗降低至μw级，支持植入式医疗设备长期运行……

未来前景可谓是一片光明！

当然，展望未来时不免也要低头看看脚下的路。

现实是残酷的，根据肖教授提供的资料，目前他们能够做到的t值只有0.92，不要说划时代的突破，甚至都没有达到商用1.5的标准。

“好！”

杨驰欣慰的点头，他喜欢这样高效的交流，也很满意陈辉的态度，就算实力差一点，只要愿意努力，他都是欢迎的。

“那你应该知道，t值的计算公式是(sσt)/k，高t值材料的制备主要有三种途径，要么通过增强电输运性能，通过能带工程，如能带收敛、多能谷效应提高s和σ，或者是解耦电声输运，通过微观结构调控实现电子与声子传输路径的分离，但是前面两种方法实现起来都太困难，即便能够得到高t值材料，工业化的成本也太高，难以得到普及。”

“目前我们使用的方式主要还是抑制热传导，通过纳米结构、缺陷工程或复合材料设计降低晶格热导率。”

杨驰边走边介绍，“这次我们想要你做的主要是通过我们的实验数据，建立多尺度模型量化纳米缺陷、位错对热导率的贡献，如果能够找到一种算法或者多目标优化的方法，来平衡s、σ、k的竞争

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