第174章 最误打误撞的一集

第174章 最误打误撞的一集

「我们的实验室产能已经能够做到6N了，如果我们能够达成合作，我们有把握在一年以内把量产的产能做到7N。」

量产7N什麽概念。

苏俄也没这技术。

东德现在还在4N朝着5N爬行呢。

华国方面不太清楚，但东德他们有所了解。

德州仪器首批商用逻辑晶片，用的也就是6N到7N之间。

房间里口水吞咽的声音显得格外清晰。

相当于直接就赶超了矽谷当前最新水平。

「黄博士，您说的是真的吗？」魏斯的声音有些乾涩。

穆勒放在桌下的手都已经捏紧了。

黄昆这时候显示出了强大的自信：「当然。

你们应该很清楚华国在工业基础上的薄弱，和东德之间的差距吧。

我们只能用简易的CZ法去拉单晶矽都能做到5N，这可是建立在取法高精度的坩埚材料和提纯设备基础上。

东德的工业基础比我们要好得多，也只能做到4N。

我们目前围绕7N的技术路线已经非常清晰，只是受限于材料和设备的短缺，导致我们无法朝着这个目标前进。」

魏斯看了眼穆勒，穆勒知道这时候该自己发言了：「黄博士，能详细给我们介绍一下你们的技术路线吗？」

黄昆起身站到早就准备好的黑板前：

「不知道你们听过离子注入技术吗？」

穆勒和魏斯回答道：「知道。」

黄昆接着说：「那就好，这一技术是半导体制造中用于在纯矽晶圆上引入掺杂剂的关键工艺，主要用于改变矽的电学性能。

也是矽谷那边提出来的概念技术。

我们已经完成了离子注入所有涉及到的植入分布的数据预测，包括了离子与晶格的碰撞丶核阻止和电子阻止带来的能量损失丶缺陷形成和扩散等。」

「不可能！」魏斯忍不住了。

也就是因为黄昆确实是晶格动力学领域的奠基人之一，不然他得说你在骗我们了。

正是因为他们都是熟知半导体工艺的科学家加工程师，所以他们才知道这难度有多大。

一般半导体的制造流程，都是边生产边调试。

现在华国人和你说，我们在数学层面已经完成模拟了，甚至还模拟出来了不错的结果。

这有点超出他们认知了。<

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