掺杂原子引入到矽晶圆的表面,再扩散到晶格中。」
「气体扩散这一技术在40年代就出现了,50年代贝尔实验室实现了精确控制,贝尔实验室1951年在《Physical Review》发表的论文里就详细描述了矽电晶体的扩散掺杂,公开了该技术。
当时电晶体的发明者肖克利提出了另外一项扩散技术,就是离子植入。
但目前矽谷都不一定实现了量产的离子植入工艺,华国人是怎麽搞定的呢?」穆勒百思不得其解,「而且要是真用到了离子植入,30美元一台的价格也未免太便宜了一点。有可能是我猜测错误。
如果我猜测错误的话,就是华国在气体扩散技术上有所突破,总之无论是哪种可能,我都建议我们要加大和华国的技术交流,我们和华国又没有矛盾,在半导体领域,我们完全可以合作,也应该要合作,尤其在东德要推广OGAS的当下。」
(本章完)