又回到申海。
她比燕京的专家们到的还要更早一点,在身体不适的情况下还是选择举家来攀枝花工作。
她说:「从理论的角度,它应该就是电晶体。
基于量子力学,矽的禁带宽度是1.12 eV和晶格常数是0.543nm,这二者已经被精确测定了。
电晶体的核心是PN结,通过掺杂控制电子和空穴的运动。
PN结的数学模型,描述了载流子扩散和漂移。而固体物理研究表明,材料的物理性质可能随尺寸减小而改变。
薄膜和微粒的研究已涉及微米级效应。海森堡测不准原理和波粒二象性表明,电子在微小尺度下表现出波动性,具体到纳米级会出现量子隧穿效应。
也就是矽晶体的晶格常数约为0.543纳米,原子间距在0.2-0.3纳米之间。理论上,电晶体的最小尺寸可能接近几个晶格单位,也就是纳米级。
一个10纳米的结构能够包含18-20个矽原子。
而载流子运动,电子和空穴的平均自由程在矽中约为10-100纳米。
若电晶体尺寸缩小至此范围,载流子仍可有效传输信号,理论上支持纳米级运行。
PN结的耗尽区宽度会随掺杂浓度增加而减小。固体物理表明,通过高掺杂和强电场,耗尽区可缩小至纳米级,维持开关功能。
电子的德布罗意波长在常温下约为10到50纳米。当器件尺寸接近这一尺度,量子效应会显着影响电子行为。
这暗示了电晶体可能在纳米级运行,但也可能面临干扰。而树莓派的存在,让我意识到,电晶体就是能够在纳米级运行。
另外固体物理研究表明,尺寸减小时,表面原子占比增加,这为小型化提供了理论依据。
也就是说如果制造工艺突破微米限制,电晶体尺寸是可以接近晶格尺度。
我去年看了费曼的书,他在《底部有无限空间》中提出,物理规律允许在原子尺度操作器件。
里面提到了用原子堆砌电路的可能性,这与纳米级电晶体理念契合。
你们明白吗?虽然我们不知道它是怎麽制造出来的,是怎麽实现的制造工艺的突破,但我认为就是电晶体。
这是理论物理给我的启发。
这设备,我相信阿美莉卡有,苏俄也有,我们应该是最晚拿到的,我们如果要追赶他们,无论是复刻,起码做到微米级的电晶体,也得尽快确定方向。
本章未完,请点击下一页继续阅读! 第5页 / 共6页