来的一段时间里,老丈人郭老要求我去秘密基地帮忙一起研制大型军事武器,之前我说是国外的某专家给的图纸,郭老哪里肯信,我也只好承认。(自动省略,就是有一段时间不在。)
帮助华夏解决了一些卡脖子的技术,比如发动机,比如半导体。
(下面月平城羊羊大佬提供的资料,太高大上了看不懂,大家可以忽略,反正很牛批的样子。)
蓝星世界半导体材料路线的选择上,从一开始就转向 了磷化铟(inp) 、砷化镓、氮化镓...... (铟、镓等稀土元素在蓝星世界非稀有矿物)。
蓝星世界发展出大直径inp制备技术,使用汽压可控直拉(vcz),改善热场结构,减少热应力,控制掺杂条件等工艺降低大幅度直径inp单晶的位错密度(晶体中由于原子排列的错乱而形成的线状缺陷)。
蓝星世界inp在回流、工作温度,稳定性、通过电压等诸多方面远远领先于地球世界单晶硅,且蓝星世界inp晶圆完全克服易碎、制备难度高等问题。
因此,inp不再作为衬底材料,而是直接作为蓝星世界半导体的主要材料。
蓝星最先进的光刻工艺是接触式曝光,相当于地球世界1977年水平,蓝星世界最先进的光刻设备为华夏芯微xls0031e真空接触式光刻机(蓝星世界高透光石英玻璃,在沾染化学试剂之后,能够保持时间长达一年以上的耀眼光泽。无需像地球世界那样,每次光刻都需要花费数十万美元去重新定做那一块小小的石英玻璃板,平摊到最后的成品)。
在刻蚀工艺方面,最先进的刻蚀工艺是离子铣刻蚀,无需像地球世界14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合实现那般复杂。蓝星世界并没有发展出大马士革和极高深宽比刻蚀工艺。
&n
本章未完,请点击下一页继续阅读! 第2页 / 共6页